2004年2月16日
松下电器工业株式会社在15日至19日举行的“ISSCC(国际固态电路会议)2004”上，世界上首次开发出了200万像素的1/4英寸MOS(金属氧化物半导体)图像传感器。由于其紧凑、高分辨率和低功耗，新的图像传感器可以为手机和其他设备的相机提供最佳解决方案。
松下通过新的像素电路共享RGB颜色像素的信号检测晶体管，实现了世界上最小的像素尺寸2.25µm，虽然体积小，但分辨率仍达到了200万像素。一个信号检测晶体管由4个像素共享，将晶体管的平均数量减少到每像素1.75个，而传统MOS图像传感器需要每像素4个晶体管。
新的“并行公共寻址结构”减少了金属阴影区域，使光电二极管的像素孔径比增加了25%。金属线和电极的数量已经减少到传统的一半。与传统的逐像素读出信号的方法相比，新方案使相邻线路上的光电二极管能够同时读出信号。障碍物面积小，可以收集更多的光，达到高灵敏度。
与传统的CCD(电荷耦合器件)图像传感器相比，新型图像传感器的驱动功率降低到2.5伏特，功耗仅为五分之一或更低。使用一种新的“非对称电场光电二极管结构”，可以在光电二极管内部构建高电场和低电场区域，导致电荷在较低电压下积累。
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