2017年12月4
一个科学家小组在成套工具利用非破坏性成像方法对晶体内部进行了三维观察。他们建立了影响晶体变形行为的线状缺陷的重要数据。
这些阻碍位错的计算机芯片的创造。基于在物理评论快报报道，科学家与合并一个特殊类型的光学显微镜的两个X射线的方法。
当处理半导体晶片，小的表面缺陷可能导致内部和表面积大的区域的步骤大的缺陷。（图：D.Hänschke/ KIT）
可能的是，在硅晶片甚至几个位错结果有缺陷的计算机芯片，因此，导致不希望的生产废品。“因此，了解微小的机械表面缺陷是如何在典型工艺影响(如热)下传播到晶体深处的，这是很重要的，”丹尼尔Hänschke博士，KIT研究所的光子科学与同步辐射的物理学家说。亚博老虎机网登录他的研究小组已经成功地精确测量位错，然后分析它们之间的相互作用与相互也与外部冲击。科学家们研究了如何只是一个表面缺陷扩展到六方缺陷线的舰队，同时充分完好的地区可能继续成为这种类型的三维网络的中心。“由此产生的集体移动可以提高或降低晶圆另一侧的大表面积，并导致台阶的形成，这可能会对微结构的制造和功能产生不利影响，”Hänschke指出。
用数学模型计算结合，结果使能提高的基本物理原理的理解。
迄今使用的模型，主要是基于在非常小的晶体样品，邻通过电子显微镜测得的数据乌尔方法也可应用于研究大而平的晶体，如可商购获得的晶片，这是为了确定初始，分钟原始损伤，将所得广泛晶体变形，可能导致重大问题远离之间详述关系的唯一方式该缺陷的发生。
埃利亚斯哈曼博士，球队在KIT的另一名成员
新的测量方法结合了格勒诺布尔的ESRF欧洲同步加速器的x射线技术和KIT的KARA同步加速器的CDIC光学显微镜。这些结果将有助于改进目前可用的预测缺陷传播和形成的模型，从而为如何优化计算机芯片的制造过程提供指示。据悉，每平方厘米的晶圆表面上安装的晶体管数量已经达到数十亿，而且还在不断增加。即使是晶体内部和表面的微小缺陷，也可能导致成千上万的这些微小电路失效，而等效的芯片失效。业界对未来进一步降低不良率非常感兴趣。