2016年4月7日
在晶格缺陷的概念说明可能导致非辐射的电子和空穴的复合发光二极管。图片来源:彼得·艾伦插图
UCSB研究人员用现代理论方法来检测特定缺陷阻碍一个发光二极管(LED)的性能。这种缺陷的特征出现在领导的原子结构可能导致持久的发展和更高效的LED照明。
技术可用来评估这种缺陷是否存在于领导的材料,他们可以用来改善材料的质量。亚博网站下载
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目前,不是所有发光二极管类似由于大量高效的固态照明。随着技术运用在一个复杂的应用程序,效率和可靠性具有重要意义。这些应用程序包括安全照明、水净化、搜索和救援。这项技术也有装饰、工业和住宅应用程序。性能主要取决于半导体材料的质量在原子水平。
在LED,电子注入从一边,从其他漏洞。
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传递半导体的晶格-在这种情况下gallium-nitride-based材料空穴和电子的会议负责二极管发出的光。这次会议移到低能量状态,一个光子也在这一过程中释放。
然而,有些时候充电运营商满足但不发光,导致Shockley-Read-Hall (SRH)重组。研究人员强调,载流子在晶格中存在的缺陷被满足不出光。
确定缺陷有情结的氢和氧镓空缺职位。
“这些缺陷先前观察到氮化硅半导体,但直到现在,他们的不利影响是不理解,“解释作者居鲁士德雷尔,谁执行的许多计算在纸上。
直觉的结合,我们开发了多年的研究点与这些新的理论能力缺陷,使这个突破。
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Van de机器人瓦力学分合著者Audrius Alkauskas理论形式主义的发展是至关重要的决定缺陷俘获空穴和电子的速度。
Van de机器人瓦力表示,这项技术使未来的研究专注于检测其他机制和SRH重组发生的缺陷。
这些镓空位复合体肯定不是唯一的缺陷是有害的。现在我们有方法,我们正在积极地检查其他潜在缺陷评估其对非辐射的复合影响。
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这篇论文发表在4月4日出版的《应用物理快报,以及一个附图《华尔街日报》的封面上。
经济研究是由玛丽·斯卡洛多斯卡·居里行动的欧盟和美国能源部科学办公室。亚博老虎机网登录