2004年12月8日
IBM今天宣布，它已经展示了一种技术，该技术通过与传统的CMOS技术兼容的过程将标准晶体管的性能增加了两倍，这是朝着持续增强芯片及其使用的电子系统持续性能提高性能的重大步骤。
该技术涉及在晶体管的临界部分中创建元素锗的一层，而电流流通过，称为“通道”。长期以来，已知锗比硅具有更好的电导率，而由IBM的过程产生的锗层中的菌株会导致进一步的性能提高。
半导体行业最近通过增强晶体管当前的运输特性来增强电路性能的概念。一个这样的例子是引入紧张的硅，这是当今几家公司生产的。已显示应变的锗具有比硅或紧张的硅具有更好的运输特性。但是，到目前为止，还没有一条途径可以使紧张的锗与常规电路制造技术结合在一起。IBM展示了可以使用兼容CMOS兼容的过程选择性地将紧张的锗在芯片的选定区域上放置的方法。
在集成电路的关键区域中引入了像锗这样的新材料，这为改善芯片性能从传统方法简单地缩小电路的方法提供了一种替代方法。随着进一步的微型化变得更加困难并产生回报降低，这变得越来越重要。IBM认为，这项新技术可以帮助确保芯片的持续改进，其电路尺寸为32纳米（NM）及更小。
T.C.说：“系统性能取决于芯片性能，这将越来越取决于新材料和设计技术，而不是简单的扩展。”亚博网站下载IBM研究与科学技术副总裁Chen，IBM Research。亚博老虎机网登录“通过这项工作，我们从我们的经验中汲取了介绍硅锗，硅硅和紧张的硅等技术的经验。我们的重点是应用于学习为客户开发创新的解决方案的应用。”
在半导体中引入新材料可能会产生深远的影响，通常会亚博网站下载在其他领域造成新问题，或者要求根本不同的制造过程。IBM的结果独特的是，仅在集成电路的关键区域中选择性引入紧张的锗可为晶体管提供性能的三倍，而不会影响同一芯片上的其他设备或电路。这大大降低了引入新材料的风险。
在晶体管本身中，IBM的选择性紧张的阵线技术实际上引入了其他边缘好处。例如，集成电路（IC）行业正在寻找使用“ High-K”绝缘子替代常规SIO2门氧化物的解决方案。但是，发现在现有的硅技术中引入一种新的“高K”绝缘子材料特别具有挑战性。紧张的锗的电性能实际上为引入“ High-K”绝缘子的途径更容易。
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