2004年7月23日
按公司该公司今天宣布，已获得美国专利6,689,220和6,756,318号，使纳米层沉积(NLD)的保角薄膜在先进微处理器和存储设备生产中的屏障、铜籽和高k电介质应用。
'220和'318中描述的系统和方法使纳米层沉积能够与超全相当于原子层沉积（ALD）和更常规化学气相沉积（CVD）系统的制造产量。NLD允许半导体制造商从目前在具有原子层精度的晶片表面上使用的任何薄膜的应用，可以从宽沉积前体（ALD的关键限制）中进行选择。NLD技术也可用于构建复杂的复合膜结构，其具有预先不可用或不切实际的控制和保形性的水平。
220专利涵盖了一种系统和工艺，包括脉冲等离子体和沉积技术，适用于各种薄膜，如氮化钛、铜和几种低k(介电常数)绝缘薄膜。脉冲技术也可以用来沉积低k材料，并在原位“密封”它，以保持薄膜的低k特性。这是一个主要的限制，以成功实施低k介电材料到当前的一代半导体。亚博网站下载
318专利结合了系统设计、源设计和NLD技术，为下一代半导体器件提供了制造解决方案。318公开了一种新型螺旋带状电极作为等离子体源用于NLD系统。318专利建立在220专利技术的基础上，并提供了一个多腔平台，用于执行各种处理步骤，如预清洗、蚀刻、NLD、致密化等。因此，可以沉积具有完全共形性的复杂薄膜，层厚可以控制在单层或几百埃。
用于高度保形沉积工具的市场，例如ALD和NLD，是半导体器件制造空间的最快增长段之一。根据VLSI研究公司的说法，目前的高度保形沉积工具市场超过1亿美元，每年增长超过66％，达到2008年的13.5亿美元。“我们很高兴地增加这两个关键专利Tegal’s extensive base of intellectual property and know-how," said Michael Parodi, Tegal chairman, president & CEO. "This is one of the most exciting areas that Tegal has ever participated in, and we look forward to demonstrating the superiority of our NLD systems in the market."
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