2004年2月19日
东芝公司今天宣布，它已经完成了该建筑的建设，用于在日本九州的OITA运营中建造一个新的300mm制造工厂。该新工厂计划于今年秋天开始生产，并将大规模生产具有极高集成水平的片上片（SOC）LSIS的高性能系统。
今天在OITA运营举行的庆祝仪式标志着建设的成功完成，该建筑业于2003年6月开始。东芝现在将为新设施及其清洁室配备高级制造设备，以便准备在秋季开始大规模生产300mm晶圆的大规模生产app亚博体育今年。从2003财年至2007财年的2000亿日元投资计划将使生产能力达到每月12,500瓦夫。如有必要，这可以进一步扩展，每月最高17,500瓦金的能力，并进一步投资。
东芝正在加强其在当今数字消费产品核心的高级SOC市场日益重要的市场中的领导地位，而OITA的新工厂在这一策略中起着至关重要的作用。除300毫米瓦夫尔外，新工厂还将借鉴东芝在嵌入式DRAM流程技术中对高性能系统LSIS必不可少的嵌入式DRAM流程技术，也将是世界上第一个部署65纳米计的过程和设计技术的半导体设施。将来，东芝预计，新工厂将带领该行业引入45NM工艺技术并将其应用于SOC设备。
新的OITA设施的完成将使东芝进入LSI生产的先锋，增强产能和产出，并为公司提供全球最强大的SOC设备的服务。OITA的新设施还将支持该公司促进LSI的总解决方案业务。
高级SOC计划在OITA新运营的新Fab中制造，包括用于数字消费电子，移动产品和宽带网络的广泛系统LSIS，例如下一代图像处理微处理器，预计未来的要求将增加。
新的OITA Fab是东芝计划建造的两个高级300mm磁力设施中的第一个。第二个是在日本MIE的Yokkaichi运营中建造的，将支持该公司满足对NAND闪存的快速增长需求。这两个项目强调了东芝保留在全球半导体行业中的领导力的决心，尤其是在战略领域，以增强其在竞争对手竞争性，差异化的半导体产品之前，基于尖端的竞争者的能力，基于尖端的竞争力。