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Meri-亚博网站下载Materials和研究工程学院
亚博网站下载材料与工程研究所
Sheffield Hallam University City Campus
Sheffield
S1 1WB
United Kingdom
PH:
44 (114) 2254037
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Background
My research concentrates on the electrical and optical properties of impurities and defects in semiconductors, primarily, but not exclusively, those in Group IV, identifying the significance of the defects in semiconductor device operation. Such studies are in support of electronic device development. I use the electrical characterisation technique of Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), and the high resolution version Laplace DLTS, together with photoluminescence, electron microscopy and I work closely with theoreticians on a range of defect problems.
我对由于设备或材料处理而导致的缺陷特别感兴趣。最近的出版物涵盖了硅的离子植入损害，SI中的H和SI的位错。我目前正在研究理解机制，通过这些机制，可以预防IC加工中增强的硼扩散，与光元素的脱位相互作用如何导致晶片硬化，以及非常高剂量离子植入物用于Ultra的MOS晶体管中P-Wells中存在的缺陷。浅连接处。自从我搬到谢菲尔德·哈拉姆大学（Sheffield Hallam University）以来，我扩大了自己的兴趣，以包括半导体钻石和甘的缺陷。GAN迫切需要了解MG的电效应，这是对受体的有前途的候选人，但却很少理解。在所有这些领域，我与英国和欧洲的行业紧密合作，解决了与技术相关的缺陷问题；我们在梅里的研究将使他们能够更好地了解缺陷对设备性能的影响，并能够将其与处理程序相关联。
I have also carried out extensive work on rare earths in Si as light emitters, and this work is now being extended into nanocluster-sensitised emission for visible light emitters in group IV semiconductors.
Major Publications
- “高分辨率的深层瞬态光谱法应用于硅的扩展缺陷”，J H Evans-Freeman，D Emiroglu，K D Vernon-Parry，J D Murphy，J D Murphy，P R Wilshaw，J Phys：Condensed Matters，17，S2219，（2005年），（2005年），（2005年），（2005年），（2005年）
- 'High resolution electrical studies of vacancy-rich and interstitial-rich regions in ion-implanted silicon', N Abdelgader and J H Evans-Freeman, J Appl Phys, 93, pp 5118 - 5124 (2003)
- “ Si/Sige/Si量子井的高分辨率少数载体瞬态光谱”，M A Gad和J H Evans-Freeman，J Appl Phys 92 5252（2002）
- 'High Resolution Deep Level Transient Spectroscopy Studies Of The Vacancy-Oxygen and Related Defects In Ion-Implanted Silicon' J H Evans-Freeman, P Y Y Kan, N Abdelgader, J Appl Phys 92 3755 (2002)
- High resolution deep level transient spectroscopy and process-induced defects in silicon, J H Evans-Freeman , D Emiroglu, and K D Vernon-Parry, Mat Sci Eng B, 114, 307-311 (2004)