80年PlasmaPro ICP RIE来自牛津仪器是一个紧凑,内存占用较小的系统,为适应ICP刻蚀的解决方案提供了舒适的加载。网站和用户友好的前提下很容易在过程质量。
开放负荷设计允许快速晶片装卸,也被认为是理想的研究,原型和小批量生产。它使高性能过程使用优化电极冷却和优秀的衬底温度控制。
突出了
- 打开负载设计允许快速晶圆装载和卸载
- 杰出的腐蚀控制和速度的决心
- 低成本的所有权
- 晶片似乎温度均匀性好
- 200毫米晶圆
- 构造半S2 / S8的标准
应用程序
- 硅博世和cryo-etch流程
- III-V腐蚀过程
- 硬掩模沉积和蚀刻可能表现为高亮度LED生产
- 芯片失效分析干蚀刻de-processing从包装和死亡通过满200 mm晶圆腐蚀腐蚀
- SiO2和石英腐蚀
最高介电层移除,将四个金属层。图片来源:牛津仪器等离子体技术
最高介电层移除,将四个金属层。图片来源:牛津仪器等离子体技术
低伤害FA ICP65蚀刻。图片来源:牛津仪器等离子体技术
特性
- 占用空间小,容易网站
- 优化电极冷却-衬底温度控制
- 添加< 500毫秒数据记录的可追溯性和历史室和工艺条件
- High-conductance径向(轴对称)泵配置,保证增强过程均匀性和利率
- 清晰易于访问关键部件——增强服务能力和维护
- 短背的涡轮泵,压力高抽速和杰出的基地
- 激光端点检测采用干涉法——评估腐蚀深度在透明材料上反光的表面(例如,氧化物在Si)或反射计不透明的材料(如金属)来确定层边界亚博网站下载
- X20的控制系统,提高数据检索和传递更快、更可重复的匹配
- 断层和工具诊断通过前端软件——快速故障诊断
- 光学发射光谱法(OES)大样本或批处理端点——识别变化蚀刻副产品或活性气体物种的消耗,和室清洁端点